| 講師： 東芝府中工場パワーエレクトロニクス部部長 堺 高見 氏 |
| 日時： ６／４（金） １３：３０〜１５：００ |
| 場所： 研究本館 １階 図書室入り口会議室 |
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講演概要： ＩＥＧＴ（Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｇａｔｅ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）は ”電子注入促進効果”という新しい原理を採用した新しいパワーデバイスです。 これにより、ＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）ゲート構造で、 従来困難であった４．５ＫＶ以上の高耐圧化を達成しました。 サイリスタであるＧＴＯ（ＧａｔｅＴｕｒｎ−ｏｆｆ Ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ）の低オン電圧降下特性を生かしたまま、 ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を代表とするＭＯＳゲート構造素子の優れた特性を実現しました。 また、ＭＯＳゲート構造でははじめて、従来のパワーデバイスと同様に気密性冷却性能に優れた完全圧接型の平型パッケージを採用しました。 これにより、環境の影響を受けず、高い信頼性を確保しています。 ＩＥＧＴの特徴をまとめますと、以下のようになります。 ・ＧＴＯなみの高耐圧、低オン抵抗の実現 ・ＩＧＢＴなみの広い安全動作領域（高ｄｉ／ｄｔ，ｄｖ／ｄｔ耐量）の実現 ・電圧駆動によるドライブの簡素化、ゲートユニットの小型化の実現 ・高速スイッチング動作の実現 ・平型パッケージ採用による高信頼性の実現 これらの優れた特徴を生かし、パルス電源、加速器用の電磁石電源等のパワエレ装置分野への適用が期待されています。 ポスター |
