| 日時: |
2010-09-03 15:00 - 16:00 |
| 場所: |
４号館２階輪講室１ |
| 会議名: |
物構研セミナー「低次元化によりバンド幅制御したSrVO3薄膜のin situ放射光光電子分光」 |
| 講演者: |
吉松公平氏 (東京大学工学系研究科（日本学術振興会特別研究員） ) |
| 講演言語: |
日本語 |
| URL: |
http://pfwww.kek.jp/pf-seminar/ |
| アブストラクト: |
強相関電子系においてバンド幅は物質の特性を決定する重要なパラメータの一 つである。このバンド幅制御として、「超薄膜を用いた次元性制御」という新た な手法を提案する。我々は典型的な強相関物質であるSrVO3を用いて分子層制御 した超薄膜を作製し、低次元化によるバンド幅制御を実現した。本講演では、こ のSrVO3超薄膜の電子状態をin situ放射光光電子分光の結果から紹介する。 |
