X光散射是研究磊晶薄膜和奈米材料不可或缺的技術,而臨場(in-situ)X光散射更是研究磊晶生長與表面相變機制的利器。我國同步輻射中心的台灣光子源(TPS)計畫預計在五年後出光,將可提供較台灣光源(TLS)更強更佳的X光光源,對磊晶生長和奈米材料的研究是一大福音。本研討會一方面介紹國內外X光散射應用在磊晶生長和奈米材料結構方面研究的現況,另一方面介紹國內磊晶生長與相關應用的研究動態與發展趨勢,期望經由雙向的交流能了解未來科研上的方向與需求,凝聚共識做為在台灣光子源建立一條以磊晶生長及薄膜材料研究為主題的光束線與實驗站之參考。冀期借此X光散射及磊晶生長與薄膜材料研討會引申出研究方面的新知與寶貴的建議。
議程 | |
9:00-9:20 | 報到 |
9:20-9:40 | 會議開始 |
Morning Session: Chair洪銘輝教授 (清華大學 材料系) | |
9:40-10:10 | 李信義 博士 (國家同步輻射研究中心) Synchrotron x-ray scattering of nano ferroelectric superlattices structure |
10:10-10:40 | 朱英豪 教授 (交通大學 材料系) Epitaxial control of interfaces in complex oxide |
10:40-11:00 | Coffee break |
11:00-11:30 | 杜昭宏 教授 (淡江大學 物理系) The application of x-ray scattering to the single-crystalline materials |
11:30-12:30 | Paul F. Fuoss博士 (Argonne National Lab., USA) Materials Dynamics, Transformational Control and In Situ X-Ray Studies |
12:30-13:30 | Lunch |
Afternoon Session: Chair徐嘉鴻 博士 (國家同步輻射研究中心) | |
13:30-14:30 | Osami Sakata博士 (SPring-8/JASRI, Japan) Recent structural studies of surfaces, interfaces, and thin films at BL13XU |
14:30-15:00 | 黃榮俊 教授 (成功大學 物理系) The origins of ferromagnetism in epitaxially grown (Co,Ga):ZnO films |
15:00-15:20 | Coffee break |
15:20-15:50 | 杜立偉 教授 (中山大學 物理系) MBE growth, characterizations and applications of III-V nitride semiconductors |
15:50-16:20 | 周武清 教授 (交通大學 電子物理系) Growth and characterization of II-VI compound semiconductors /td> |
16:20-16:50 | 郭瑞年 教授 (清華大學 物理系) High k Dielectrics Research for Nanoelectronics Beyond Si CMOS |
16:50-17:30 | Discussions |