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X光散射及磊晶生长与薄膜材料研讨会
国家同步辐射研究中心, 9/22/2009
X光散射是研究磊晶薄膜和奈米材料不可或缺的技术，而临场(in-situ)X光散射更是研究磊晶生长与表面相变机制的利器。我国同步辐射中心的台湾光子源（TPS）计划预计在五年后出光，将可提供较台湾光源（TLS）更强更佳的X光光源，对磊晶生长和奈米材料的研究是一大福音。本研讨会一方面介绍国内外X光散射应用在磊晶生长和奈米材料结构方面研究的现况，另一方面介绍国内磊晶生长与相关应用的研究动态与发展趋势，期望经由双向的交流能了解未来科研上的方向与需求，凝聚共识做为在台湾光子源建立一条以磊晶生长及薄膜材料研究为主题的光束线与实验站之参考。冀期借此X光散射及磊晶生长与薄膜材料研讨会引申出研究方面的新知与宝贵的建议。
| 议程 | |
| 9:00-9:20 | 报到 |
| 9:20-9:40 | 会议开始 |
| Morning Session: Chair洪铭辉教授 (清华大学 材料系) | |
| 9:40-10:10 | 李信义 博士 (国家同步辐射研究中心) Synchrotron x-ray scattering of nano ferroelectric superlattices structure |
| 10:10-10:40 | 朱英豪 教授 (交通大学 材料系) Epitaxial control of interfaces in complex oxide |
| 10:40-11:00 | Coffee break |
| 11:00-11:30 | 杜昭宏 教授 (淡江大学 物理系) The application of x-ray scattering to the single-crystalline materials |
| 11:30-12:30 | Paul F. Fuoss博士 (Argonne National Lab., USA) Materials Dynamics, Transformational Control and In Situ X-Ray Studies |
| 12:30-13:30 | Lunch |
| Afternoon Session: Chair徐嘉鸿 博士 (国家同步辐射研究中心) | |
| 13:30-14:30 | Osami Sakata博士 (SPring-8/JASRI, Japan) Recent structural studies of surfaces, interfaces, and thin films at BL13XU |
| 14:30-15:00 | 黄荣俊 教授 (成功大学 物理系) The origins of ferromagnetism in epitaxially grown (Co,Ga):ZnO films |
| 15:00-15:20 | Coffee break |
| 15:20-15:50 | 杜立伟 教授 (中山大学 物理系) MBE growth, characterizations and applications of III-V nitride semiconductors |
| 15:50-16:20 | 周武清 教授 (交通大学 电子物理系) Growth and characterization of II-VI compound semiconductors |
| 16:20-16:50 | 郭瑞年 教授 (清华大学 物理系) High k Dielectrics Research for Nanoelectronics Beyond Si CMOS |
| 16:50-17:30 | Discussions |