電子陽電子入射器8GeV電子ビームの加速に成功
Bファクトリー計画(KEKB)では、8GeVの電子と3.5GeVの陽電子の衝突実験を行う。このため、入射器となる2.5GeVの電子陽電子線形加速器では、リングへの直接入射を可
能とすべく、8GeVの電子と、3.5GeVの陽電子を加速できるようにエネルギー増強を進
めてきた。その主な改造内容は以下の３点である。
１）加速実効長を約1.5倍にする。
２）SLEDと呼ばれるマイクロ波のエネルギー圧縮装置を取り付ける。
３）マイクロ波パワーの増強を行う。
この度、入射器のエネルギー増強が完成し、4月23日に8GeVの電子ビームの加速に
成功した。今後は、移設された陽電子発生標的を用いて、3.5GeVの陽電子加速を行う。
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