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>ホーム>ニュース >トピックス(LSI IPデザインアワード受賞)
last update:05/05/19  
LSI IPデザインアワード受賞
 
第7回LSI IPデザインアワード(研究助成)をKEK素粒子原子核研究所助手の新井康夫氏が受賞しました。
 
IPアワードは、半導体産業の活性化を図るために、システムLSIのための独創的かつ優れたIP(回路やソフトウェアなどの設計資産)の開発を支援する賞です。この賞は、超伝導工学研究所、松下電器産業(株)、NECエレクトロニクス(株)などの協賛により運営されています。
 
新井氏は、「2つのPLLを用いた微小時間測定回路」というタイトルでの応募が認められ、今回の受賞となりました。新井氏の受賞は第3回の開発奨励賞の受賞に続き2度目。
 
なお、表彰式は5月19日に東京コンファレンスセンター・品川にて行われました。
新井氏提案の回路による試作チップ 新井康夫氏

   関連情報
 LSI IPデザイン・アワードのwebページ
 http://techon.nikkeibp.co.jp/award/
 

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