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加速器セミナー
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| 日時: |
2012-12-26 10:00 - 11:00 |
| 場所: |
3号館7階会議室 |
| 会議名: |
次世代スイッチングSiCデバイスの現状 |
| 連絡先: |
明本光生 4246 |
| 講演者: |
福田憲司 ((独)産業技術総合研究所) |
| 講演言語: |
日本語 |
| アブストラクト: |
次世代のパワーデバイスとして期待されているSiCデバイスについてウエハー技術、デバイスプロセス技術及び実装技術の現状と課題を説明すると同時に、現在、行っているプロジェクトで開発しているSiC-SBDとMOSFET及び超高耐圧デバイスであるPiNダイオードとIGBTの電気特性について述べる。 |
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