日時: |
2015-02-04 13:30 - 15:30 |
場所: |
3号館7階会議室 |
会議名: |
表面制御による高Q値超伝導空洞の現状 |
連絡先: |
生出 勝宣 |
講演者: |
加藤 茂樹 (高エネルギー加速器研究機構) |
講演言語: |
日本語 |
アブストラクト: |
省エネにも大きく寄与する、高いQ値をもつ超伝導加速空洞や材料の研究開発の進展が最近、目覚ましい。中には、2KでのQ値の最高値が単セル空洞での測定ながら10e11に近いものまで報告されている。高いQ値を得る方法としては、通常のNb空洞表面に窒素等の異種元素を導入する方法や転移温度、臨界磁場の高い材料を空洞内面にコーティングする方法がある。また、未だ試料の段階ではあるが、絶縁層を挟んだ多層薄膜のコーティングによる高性能化も試みられていて、高いQ値のみならずさらなる高加速電界が期待されている。ここでは、その具体的な表面制御法、薄膜作成法、そして、得られた性能の具体例を、各種分析手段による表面の構造解析、形態観察等の結果と合わせて紹介する。 |
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