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講演要旨 半導体基板表面に自己組織化的に形成されるナノ構造の電子状態と表面構
造を高分解能光電子分光によって明らかにした。具体的には、まず、新ビームライ
ンBL-1Cを建設し、MBE装置と角度分解光電子分光装置を結合したシステムを構築した。
それを用いて、１）Si表面初期酸化、２）Si表面低次元構造の解析;In, Pb, Bi,
Ba/Siなど、３）MBE成長GaAs、InAs, AlAs超構造表面やInAs量子ドットの電子状態、
４）MBE成長希薄磁性半導体の電子状態: GaCrAs, GaMnAs, CrAs, MnAs など、
５）TaSe2-TaS2層状化合物のバンド構造、を解析したので、その結果を述べる。さら
に、レーザーMBE装置との結合による量子細線CMR化合物の電子状態解析の計画につい
て説明し、今後の展望を議論する予定である。
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