| 日時: |
2005-04-12 10:45 - 11:45 |
| 場所: |
物構研 ４号館２階 輪講室１ |
| 会議名: |
放射光セミナー「B-K及びC-K吸収端近傍X線吸収・発光分光によるBドープ・ダイヤモンドの電子状態」 |
| 講演者: |
中村 仁氏 (電気通信大学 電気通信学部 量子・物質工学科) |
| 講演言語: |
日本語 |
| URL: |
http://pfwww.kek.jp/pf-seminar/ |
| アブストラクト: |
B（ボロン）ドープ・ダイヤモンドは、CVD技術の進歩により良質の薄膜が得られるようになり、高硬度・高熱伝導度等の特徴と併せて、電子デバイスへの応用の観点から注目されている物質であるが、近年、高濃度にBを添加したダイヤモンドが超伝導を示す事が発見され、不純物半導体が高濃度添加により金属化した後に発現する超伝導と云う、点で、基礎物性の面からも注目されている。
本セミナーでは、絶縁体から超伝導を示す幅広い濃度範囲のBドープ・ダイヤモンド試料に関する軟X線吸収・発光法によるB及びC-2pの部分電子状態について、これまでの結果を紹介する。
実験は、米国LBNL-ALS BL.8.0.1で行なった。得られた結果に関して、クラスター計算及びバンド計算の結果と比較を行ない、不純物元素の電子状態の局在性・バンド分散との比較、及びそれらのB濃度依存性等を議論する。 |
