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集積回路を中心とした半導体デバイスは現代の電子機器や情報化社会の根幹を支えており、物理実験においてもセンサの微細化、多チャンネル化に伴い高機能・高集積を実現する集積回路技術の重要度は日々増しています。
集積回路技術は今日まで約60年にわたりムーアの法則とも呼ばれるトランジスタの微細化と共に発展して来ました。しかしながら単純な微細化は物理的制約により終わりを迎え、今後の開発競争の見通しは困難なものとなっています。
日本国内では改めて半導体が国家の今後を左右する戦略物資として見直され、先端集積回路製造工場の誘致及び建設、並びにそれを支える人材育成の教育体制の構築と様々な動きが生じています。
本講演ではCMOS集積回路技術を中心とした半導体技術トレンドを俯瞰し、今後の物理実験に用いられるASICの開発のあり方について主観多めに論じます。