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共同利用・共同研究 / Joint research
共同研究先 / Joint research partner
秋田工業高等専門学校 / National Institute of Technology, Akita College
大阪大学 / Osaka University
慶應義塾大学 / Keio University
総合研究大学院大学 / The Graduate University for Advanced Studies
東京理科大学 / Tokyo University of Science
東北大学 / Tohoku University
名古屋大学 / Nagoya University
広島大学 / Hiroshima University
産業技術総合研究所 つくばセンター / National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba center
産業技術総合研究所 中国センター / National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Chugoku Center
量子科学技術研究開発機構 / National Institutes for Quantum Science and Technology
株式会社アクセルレーター / Accelerator Inc.
株式会社千代田テクノル / Chiyoda Technol Corporation
東亜道路工業株式会社 / Toa Road Corporation
株式会社東芝 / Toshiba Corporation
Brookhaven National Laboratory
Canada's particle accelerator centre (TRIUMF)
Cornell University
Deutsches Elektronen-Synchrotron
the European Organization for Nuclear Research (CERN)
European XFEL
Fermi National Accelerator Laboratory
Helmholtz-Zentrum Berlin
Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf
Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences
SLAC National Accelerator Laboratory
共同研究内容 / Contents of joint research
cERLを用いた最先端加速器技術の開発（高輝度電子銃、大電流ビーム加速用超伝導空洞、ビームダイナミクス、ERL、FEL、テラヘルツ光など） / Development of cutting-edge accelerator technology using cERL (high-brightness electron gun, superconducting cavity for high-current electron beam, beam dynamics, ERL, FEL, terahertz light, etc.)
電子ビーム照射によるアスファルトの長寿命化 / Life extension of asphalt by electron beam irradiation
電子ビーム照射による核医学検査薬製造（モリブデン99） / Manufacture of nuclear medicine reagents (Molybdenum 99) using electron beam irradiation
電子ビーム照射によるナノセルロース高効率生成 / Efficient production of nanocellulose by electron beam irradiation
大強度電子ビーム用のビーム照射ターゲット開発 / Development of beam irradiation targets for high-intensity electron beam
高出力赤外線FEL生成及びそれによる材料加工 / Generation of high-power infrared FEL and material processing using it
レーザーコンプトン散乱によるX線イメージング / X-ray imaging by laser Compton scattering
半導体リソグラフィ―用EUV-FEL光源の基礎技術開発と設計 / Technology development and design of EUV-FEL for semiconductor lithography