電子スピンを自在に操ることができる積層材料の開発に成功-日常生活の情報化を支える超高記録密度・省エネ磁気メモリの実現に大きく前進-

• 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構
• 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構

概要

国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構（理事長 平野俊夫）量子ビーム科学部門の李松田主任研究員、境誠司プロジェクトリーダーらは、大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構(機構長 山内正則)物質構造科学研究所の雨宮健太教授、国立研究開発法人物質・材料研究機構（理事長 橋本和仁）の桜庭裕弥グループリーダーらとの共同研究により、電子スピンを使った情報処理に重要な、電子スピンの向きを揃える性能とスピンの向きを保つ性能のそれぞれに最も優れるホイスラー合金とグラフェンからなる積層材料の開発に成功しました。 この新しい材料により電子スピンの自在な操作が可能になることで、超高記録密度で省エネな磁気メモリの実現など、日常生活の情報化を支える情報技術の発展に新たな道が拓かれることが期待できます。

本成果は、Advanced Materials誌のオンライン版に2019年12月3日（火）12：00（現地時間）に掲載されました。

研究成果のポイント

• ◇電子スピンを自在に操ることができる積層材料の実現により、超高記録密度な磁気メモリの実現など情報技術の発展に新たな道筋
• ◇世界で初めて電子スピンの制御と保持の性能に最も優れたホイスラー合金とグラフェンからなる積層材料の開発に成功し、電子スピンの自在な操作が可能に