パワーデバイス用ワイドギャップ半導体材料として注目されているSiC単結晶のX線トポグラフィー測定を行った。溶液法により結晶成長させた4H-SiC単結晶試料のX線トポグラフィー測定により転位挙動を評価した結果、貫通刃状転位は結晶成長の過程で、対消滅や曲がりによって減少することを見出した。貫通らせん転位は成長中に大きく曲げられることがなく、また、結晶成長中に積層欠陥などから新たに発生することがあることを見出した。
本課題研究ではX線トポグラフィー測定により転位の挙動を評価し、結晶成長における転位密度の増加／減少の機構を解明するのにこの手法が有効であることを実証した。