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放射光実験施設の間瀬 一彦 准教授が日本表面真空学会 功績賞および会誌賞を受賞

物構研トピックス
2020年11月20日

物構研 放射光実験施設 基盤技術部門の間瀬 一彦(ませ かずひこ)准教授が、今年度の日本表面真空学会の功績賞および会誌賞を受賞しました。

日本表面真空学会功績賞は、永年にわたり日本表面真空学会の発展に特に功績があったと認められる個人会員に与えられる賞です。 間瀬准教授は、学会の教育事業などでの功績が認められ、受賞となりました。

間瀬 一彦 氏

また、日本表面真空学会会誌賞は、過去2年間に学会誌「表面と真空」または学会発行の e-Journal of Surface Science and Nanotechnology へ掲載された原著論文以外の記事が、日本表面真空学会会員の啓蒙に特に大きく貢献したと認められる個人会員に与えられる賞で、2020年度は東京工業大学 理学院の小澤 健一(おざわ けんいち)助教、東京大学 物性研究所の山本 達(やまもと すすむ)助教(研究当時、現在は東北大学 国際放射光イノベーション・スマート研究センター (多元物質科学研究所 兼務)准教授)、東京大学 物性研究所の松田 巌(まつだ いわお)准教授との共同受賞となりました。
受賞対象となった論文は、
“A Surface Science Approach to Unveiling the TiO2 Photocatalytic Mechanism: Correlation between Photo-catalytic Activity and Carrier Lifetime”, Kenichi Ozawa, Susumu Yamamoto, Kazuhiko Mase, Iwao Matsuda, e-J. Surf. Sci. Nanotechnol. 17, 130−147 (2019). です。
この共同研究では、SPring-8の東京大学放射光アウトステーション物質科学ビームライン BL07LSUと、フォトンファクトリーのBL-13Bにおいて実験が行われました。

小澤 健一 氏
東工大にて
左から山本 達 氏、松田 巌 氏
SPring-8 BL07LSUにて
間瀬 一彦 氏
フォトンファクトリー BL-13Bにて

功績賞の受賞は2020年3月に決まっていましたが、COVID-19の流行の影響で5月の日本表面真空学会の2020年総会が縮小開催されたため、授賞式が延期になり、8月に会誌賞の受賞が決まりました。ともに2020年日本表面真空学会学術講演会期間中の11月19日に表彰式が行われました。


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